BC857B دیتاشیت

BC857B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC857B
حجم فایل 60.275 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت BC857B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

BC857B 4 pages

BC856B 3 pages

BC856B 4 pages

BC856B 5 pages

BC856B 4 pages

BC856B 4 pages

BC856B 5 pages

BC856B 4 pages

BC856B 3 pages

BC856B 4 pages

BC856B 5 pages

BC856B 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: CBI BC856B
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 650mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: CBI

محصولات مشابه